]article_adlist-->前言：
2026年开年，功率半导体赛道便被接连落地的涨价函彻底引爆。
从半年前全行业[产得越多、亏得越狠]的价格血战，到如今海内外巨头集体官宣提价，短短数月的惊天反转，彻底将功率半导体赛道推上了行业风口。。
作者 | 方文三
图片来源 |网 络
不是需求全面爆发，是成本倒逼与格局重构
2月5日，全球功率半导体巨头英飞凌正式发布涨价通知，宣布自4月1日起，对功率开关与相关芯片产品进行价格上调，主流产品涨幅达5%-15%；
其中碳化硅（SiC）模块、车规级及高压模块等高端品类涨幅更是超过15%。
紧随其后，国内头部厂商全面跟进。华润微宣布自2026年2月1日起，对全系列产品价格上调10%起。
士兰微发布涨价函，自3月1日起对小信号二极管、沟槽TMBS及MOS类芯片提价10%。
斯达半导、新洁能、捷捷微电等国内厂商同步官宣调价，车规级SiC模块、高压MOS等核心产品涨幅普遍在8%-20%区间。
海外市场方面，意法半导体也计划于4月中旬启动7%-14%的价格上调。
功率器件的成本构成中，封装成本占比高达40%-50%，而近期铜框架、铝/金键合线、树脂等封装核心原材料价格显著上涨，仅封装环节的成本涨幅就已超过25%。
与此同时，晶圆制造所需的金、银等关键贵金属价格剧烈波动，全球能源价格结构性上涨、碳减排成本增加，进一步推高了功率半导体的全链条生产成本。
此次涨价是行业对过去两年非理性价格战的一次[紧急刹车]。
当前功率半导体行业的需求，并非全面爆发，而是呈现出极端的结构性分化。
一边是传统消费电子、低端工业领域的需求持续疲软，另一边是AI算力、新能源汽车、储能等高端赛道的需求持续高景气。
而这一分化，直接导致了行业产能的结构性紧缺。
AI算力领域成为拉动功率半导体需求的核心引擎，随着全球AI数据中心的大规模部署，算力扩张直接传导至电力环节。
单台AI服务器对功率半导体、电源管理芯片的需求量是传统服务器的3-5倍，高压、低压MOSFET、GaN等功率器件订单大量涌入。
为了抢占高毛利的AI赛道，英飞凌等国际巨头纷纷将产能优先投向AI电源链，间接挤出了传统工业与汽车客户的产能，进一步加剧了相关产品的供给紧张。
与此同时，全球8英寸晶圆产能的持续收缩，放大了供需失衡的矛盾。
代工厂方面，部分8英寸晶圆代工产能也正转向更高毛利的存储领域，多重因素叠加之下，功率器件核心产能的紧缺态势愈发凸显。
海外巨头份额下滑，国产厂商入局
与以往历次涨价周期中，国内厂商普遍选择[以价换量、逆势降价抢份额]的操作不同，这一次，国内功率半导体厂商集体打破了[低价内卷]的刻板印象。
斯达半导、士兰微、比亚迪半导体、时代电气、华润微等头部企业纷纷跟进调价，部分车规级、工业级产品的调价幅度甚至超过了国际大厂。
而此番涨价并未导致国产厂商市场份额的下滑，根据Omdia最新发布的2025年全球功率半导体市场报告，中国厂商在全球功率半导体市场的市占率首次突破25%。
其中车规级IGBT国内市占率超过35%，SiC功率器件市占率突破20%，增速领跑全球。
2024年全球功率器件前十企业榜单发生了颠覆性变化：士兰微市占率从2.6%升至3.4%，全球排名从第十跃居第六；比亚迪半导体首次跻身全球前十，以2.9%的市占率位列第七。
一升一降之间，全球功率半导体的产业重心正在向中国转移。
过去，国产厂商只能在中低端市场依靠低价内卷求生存，而如今，头部国产企业已经跻身全球第一梯队，在高端赛道与国际巨头展开正面竞争。
驱动功率半导体需求持续增长的两大核心领域AI算力与新能源汽车，恰恰成为国产厂商打破海外垄断、实现高端突破的核心战场。
英伟达更新了其800V系统的供应商名单，英诺赛科成为唯一一家进入合作名单的中国本土功率半导体企业。
士兰微针对人工智能的发展趋势，针对性布局了高压硅MOSFET、SiC-MOSFET、低压SGT-MOSFET、硅基GaN-HEMT器件等全系列产品，全面适配AI服务器电源的升级需求。
在新能源汽车赛道国产厂商的突破更为彻底，新能源汽车新增的DC-DC模块、电机控制系统、电池管理系统等部件，大幅提升了功率半导体的单车价值量，也为国产厂商提供了换道超车的机会。
捷捷微电已量产百余款车规级MOSFET，汽车类产品销售持续创高，同比增长超20%，下游客户覆盖比亚迪、东风科技、霍尼韦尔等头部企业。
比亚迪半导体更是实现了车规级SiC芯片的全产业链自主研发，推出了全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片。
可以说，在新能源汽车与AI算力这两大决定行业未来的核心赛道，国产厂商已经完成了从替代到同步竞争的跨越。
此外，全球最大的新能源汽车、光伏、储能企业都在中国，本土的器件厂商，可以和下游的应用企业实现零距离的协同研发，快速响应客户的需求，配合客户完成产品的迭代升级。
比如斯达半导和国内头部车企、光伏逆变器企业成立了联合研发实验室，针对客户的特定需求，定制化开发功率器件产品。
针对车企的800V高压快充平台，斯达半导联合车企开发了定制化的SiC功率模块，大幅提升了快充效率，降低了系统成本，快速实现了批量上车。
这种上游器件厂商+下游应用企业的深度协同，形成了一个完整的、闭环的本土产业生态。
下游应用企业给上游器件厂商提供了试错的场景、应用的市场和迭代的方向，上游器件厂商的技术突破，又反过来提升了下游应用企业的产品竞争力，形成了正向的循环。
这种本土产业生态的协同优势，是国产厂商话语权提升的最核心的底层逻辑，也是中国功率半导体产业能够实现持续突围的根本保障。
业绩反转+技术突破，IDM模式锁竞争力
经历了两年的行业下行周期与价格战洗礼，头部国产厂商不仅实现了业绩的反转修复，更在核心技术上实现了多点突破。
根据最新披露的业绩数据，多数功率半导体企业已在2025年实现了营收与利润的实质性改善，行业在经历近两年的价格调整后，正逐步进入企稳向好的新发展阶段。
士兰微发布的2025年年度业绩预告显示，公司预计2025年度实现归母净利润3.30亿元到3.96亿元，同比增长50%到80%，其中2025年上半年便已实现扭亏为盈。
宏微科技（维权）预计2025年归母净利润1400万元至2100万元，较上年同期亏损1446.73万元相比，实现扭亏为盈，同比增幅最高达245.15%。
当前，功率分立器件市场仍以MOSFET和IGBT为主力，但未来的核心增长点，无疑在于碳化硅的落地。
中国在SiC环节正实现快速追赶，2025年国内碳化硅器件技术实现两大里程碑式突破。
比亚迪半导体推出全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片，实现了车规级高端产品的自主可控。
株洲中车中低压功率器件产业化项目完成8英寸碳化硅晶圆线通线，推动国产SiC进入大尺寸量产时代。
华润微2025年碳化硅相关产线基本实现满产，最新一代MOS G4产品已获得各行业标杆客户的批量使用，主驱模块实现批量上车。
露笑科技全面攻克8英寸导电型SiC衬底核心技术，微管密度、表面粗糙度等关键性能参数达到行业先进水平，打破了海外企业在高端衬底领域的垄断。
GaN领域同样传来历史性突破，西安电子科技大学郝跃院士团队首创[离子注入诱导成核]核心技术，成功破解了GaN功率器件[热堵点]这一世界性难题。
在这一轮行业周期中，IDM模式的优势被体现得淋漓尽致。
目前国内头部厂商均已坚定布局IDM模式，华润微拥有8英寸晶圆月产能逾7万片，6英寸晶圆月产能逾20万片。
士兰微的5、6英寸芯片生产线、8英寸芯片生产线、参股的12英寸芯片生产线均实现满负荷生产。
扬杰科技首条SiC芯片产线顺利实现量产爬坡，同时推进8英寸晶圆扩产、车规产线建设。
与此同时，传统Fabless厂商也在向Fab-lite模式演进，补齐产能短板。
芯导科技发布公告拟以4.03亿元收购瞬雷科技、吉瞬科技股权，核心目标正是获取独立自主的生产工厂，实现从Fabless到Fab-lite模式的战略转型。
结尾：
未来国内功率半导体市场，不会出现全面的产能过剩，只会出现低端产能持续出清，高端产能持续紧缺的结构性格局。
这一轮涨价，不是国产厂商短期的投机行为，而是行业告别低价内卷、进入价值竞争时代的标志性事件。
部分资料参考：半导体产业纵横：《国产功率半导体厂商，上桌》，矽迪半导体：《功率半导体涨价潮来袭，国产SiC突围在即，机遇不容错过》，elexcon电子展：《英飞凌涨价，功率赛道迎来量价齐升》，半导体材料与工艺设备：《10%！国产功率半导体大厂上调三类产品价格》
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